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產(chǎn)品詳細頁
BBO電光普克爾盒(用于激光器)

BBO電光普克爾盒(用于激光器)

  • 產(chǎn)品型號:
  • 更新時間:2023-12-18
  • 產(chǎn)品介紹:BBO電光普克爾盒(用于激光器)
    當電壓施加到諸如BBO的電光晶體的電極上時,泡克耳斯盒用于改變通過它的光的偏振態(tài)。
  • 廠商性質(zhì):代理商
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產(chǎn)品介紹

品牌Eksma價格區(qū)間面議
組件類別光學(xué)元件應(yīng)用領(lǐng)域醫(yī)療衛(wèi)生,環(huán)保,化工,電子

BBO電光普克爾盒(用于激光器)

當電壓施加到諸如BBO的電光晶體的電極上時,泡克耳斯盒用于改變通過它的光的偏振態(tài)。

 

特征:

小的壓電振鈴

o低吸收

o陶瓷孔徑是可利用的

o寬廣的傳輸范圍從200納米到2000納米

緊湊的尺寸

應(yīng)用:

o高重復(fù)率DPSS Q開關(guān)

o高重復(fù)率再生放大器控制

o腔傾倒

o光束斬波器

當電壓施加到諸如BBO的電光晶體的電極上時,泡克耳斯盒用于改變通過它的光的偏振態(tài)。當與起偏器一起使用時,普克爾斯盒可以用作快速光開關(guān)。典型的應(yīng)用包括激光腔的Q開關(guān),激光腔傾倒以及耦合入再生放大器的光。

 BBO電光普克爾盒(用于激光器)

基于BBO的普克爾斯盒可用于從紫外線到2微米以上的波長。低壓電振鈴使得這些普克爾盒對于高功率和高脈沖重復(fù)率激光器的控制具有吸引力。與電池匹配的快速開關(guān)電子驅(qū)動器可用于Q開關(guān),腔體傾倒和其他應(yīng)用。 PCB系列的普克爾盒是橫向的現(xiàn)場設(shè)備。 BBO的低電光系數(shù)導(dǎo)致高工作電壓。四分之一波長電壓與電極間距和晶體長度的比例成正比。結(jié)果,較小的孔徑器件具有較低的四分之一波長,然而即使對于2.5mm的孔徑器件,四分之一波長電壓也高達4kV @ 1064nm。采用雙晶體設(shè)計來降低所需電壓,并允許以快速開關(guān)時間在半波模式下工作。

 

型號

PCB3S

PCB3D

PCB3S/25

PCB3D/25

PCB4S

PCB4D

通光孔徑,mm

2.5

2.5

2.5

2.5

3.5

3.5

晶體大小,(HxL)毫米

3x3x20

3x3x20

3x3x25

3x3x25

4x4x20

4x4x20

晶體數(shù)量

1

2

1

2

1

2

λ/ 2電壓1064nm,kV DC

<3.5

<1.8

<3.0

<1.5

<4.6

<2.3

電容,pF

4

6

4

6

3

6

光傳輸,%

>98

>98

>98

>98

>98

>98

對比度

>1:1000

>1:500

>1:1000

>1:500

>1:1000

>1:500

細胞大小,毫米

Ø25.4x37.2

Ø25.4x57.2

Ø25.4x42.2

Ø25.4x67.2

Ø25.4x37.2

Ø25.4x57.2

對于普克爾盒上述晶體涂層Ar/39Ar @ 1064 nm。其他抗反射涂層可根據(jù)要求提供。10 ns脈沖在1064 nm處的損傷閾值>5。

 

型號

PCB3S-1342

PCB3D-800

PCB3S-532

通光孔徑,mm

2.5

2.5

2.5

晶體大小,(HxL)毫米

3x3x20

3x3x20

4x4x20

晶體數(shù)量

1

2

1

λ/ 2電壓1064nm,kV DC

<2.4

<2.6

<2.25

電容,pF

1342

800

532

光傳輸,%

4

6

4

對比度

>98

>98

>98

細胞大小,毫米

>1:500

>1:1000

>1:1000

 

Ø25.4x57.2

Ø25.4x37.2

Ø25.4x37.2

1)用正交偏光鏡法測量

規(guī)格如有變更,不另行通知。

 

BBO電光細胞1040~1070 nm范圍內(nèi),與主機的高功率和高重復(fù)率激光器

型號

通光孔徑

四分之一波電壓*

中心波長

PCB3D-C-1064

ø 2.5 mm

<1.8 kV DC

1064 nm

PCB3S-C-1064

ø 2.5 mm

<3.5 kV DC

1064 nm

PCB4D-C-1064

ø 3.5 mm

<2.3 kV DC

1064 nm

PCB4S-C-1064

ø 3.5 mm

<4.6 kV DC

1064 nm

PCB3D/25-C-1064

ø 2.5 mm

<1.5 kV DC

1064 nm

PCB3S/25-C-1064

ø 2.5 mm

<3.0 kV DC

1064 nm

PCB6.3S-C-1064

ø 5.8 mm

<7.5 kV DC

1064 nm

PCB6.3D-C-1064

ø 5.8 mm

<3.8 kV DC

1064 nm

 

BBO電光為1020-1040 nm范圍內(nèi)的細胞,鐿主機飛秒激光器

型號

通光孔徑

四分之一波電壓*

中心波長

PCB3D-C-1030

ø 2.5 mm

<1.7 kV DC

1030 nm

PCB3S-C-1030

ø 2.5 mm

<3.4 kV DC

1030 nm

PCB4D-C-1030

ø 3.5 mm

<2.2 kV DC

1030 nm

PCB4S-C-1030

ø 3.5 mm

<4.5 kV DC

1030 nm

PCB3D/25-C-1030

ø 2.5 mm

<1.4 kV DC

1030 nm

PCB3S/25-C-1030

ø 2.5 mm

<2.9 kV DC

1030 nm

PCB6.3S-C-1030

ø 5.8 mm

<7.4 kV DC

1030 nm

PCB6.3D-C-1030

ø 5.8 mm

<3.75 kV DC

1030 nm

 

BBO電光為770-820 nm范圍內(nèi),細胞鈦:藍寶石飛秒激光器

型號

通光孔徑

四分之一波電壓*

中心波長

PCB3D-C-800

ø 2.5 mm

<1.3 kV DC

800 nm

PCB3S-C-800

ø 2.5 mm

<2.6 kV DC

800 nm

PCB4D-C-800

ø 3.5 mm

<1.7 kV DC

800 nm

PCB4S-C-800

ø 3.5 mm

<3.4 kV DC

800 nm

PCB3D/25-C-800

ø 2.5 mm

<1.1 kV DC

800 nm

PCB3S/25-C-800

ø 2.5 mm

<2.1 kV DC

800 nm

 

自定義普克爾單元庫存

型號

通光孔徑

四分之一波電壓*

中心波長

PCB3D-C-1342

ø 2.5 mm

<2.4 kV DC

1342 nm

PCB4S-C-532

ø 3.5 mm

<2.25 kV DC

532 nm

*在中心波長處計算直流電壓的四分之一波長電壓。 脈沖工作電壓通常高達10%。

高于標準的BBO普克爾斯單元具有直徑等于晶體通光孔徑的保護性陶瓷孔。 可以去除陶瓷孔以獲得電光晶體的全開口。

 

 

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